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三星电子全球首次量产第三代V-NAND闪存

2015年08月12日 10:51  来源 : 韩国中央日报中文网

三星电子全球首次成功批量生产了第三代256Gb V-NANDNand Flash。在越来越广阔的Nand Flash市场,三星的战略是以技术差距巩固其在该行业独领风骚的地位。V-NAND是将储存数据的“单元”(cell)像公寓那样使用三维垂直结构堆叠而成的Nand Flash,目前世界上只有三星电子在批量生产。  

8月11日三星电子消息称,第三代V-NAND可以承受比以“单元”为标准的第二代128G(32层)多1.5倍,即有48层。虽然大小和现有的产品一样,但因为层数越高,就可以堆叠更多的单元,存储容量可增加到256Gb。得益于此,第三代V-NAND只要一个芯片,就可以打造出装载在智能手机上的32GB(1GB=8Gb)容量存储卡。三星电子于2013年8月首次量产V-NAND(24层)后,目前正以每年更新一代V-NAND的速度发展。  

尤其是第三代V-NAND,存储数据比第二代更快,从而可减少30%以上的电能消耗。再加上使用了已有的量产设备,产品效率提高了约40%。也就是说成本竞争力大大增强。  

近来由于超高清画质(UHD)资讯增加而引起的储存装置高容量化、取代硬盘驱动器(HDD)固态硬盘(SSD)的需求增加等,服务器及移动手机所需芯片需求正在急剧增加。三星电子已占据全世界约37%的NAND Flah市场,其第三代V-NAND的开发预计会进一步加强三星电子的市场支配力。  

对三星电子来说,V-NAND是很特别的。目前为止,三星电子得到的评价都是别人首先开发出技术,却比别人更快让其得以发展。然而V-NAND是三星电子在世界上首次独自开发出来的技术。这具有三星电子从“快跟”(fast follower)转向“先行”(first mover)的象征意义。  

三星电子计划提高V-NAND的竞争力,不容许竞争企业超越自己。这就是所谓的“超差距”战略。首先,以明年批量生产为目标,正在准备累积64层的第四代产品。三星电子计划在整个NAND Flash中提高V-NAND的生产比重。没有选择垂直结构而是选择平面结构制作方式的竞争者们目前还无法推出V-NAND。三星电子相关人员称,“瞄准快速发展的企业和数据中心市场,计划推出适用V-NAND技术的新一代SSD相关产品”。

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